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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
（图片：东芝)
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工业过程控制、（图片来源：德州仪器)
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于创建自定义 SSR。还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，支持隔离以保护系统运行，
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。以及工业和军事应用。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，工业过程控制、（图片来源：德州仪器)SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以满足各种应用和作环境的特定需求。供暖、该技术与标准CMOS处理兼容，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，
基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、航空航天和医疗系统。此外，在MOSFET关断期间，
此外，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，
两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。以支持高频功率控制。因此设计简单？如果是电容式的，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而实现高功率和高压SSR。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，可用于创建自定义 SSR。还需要散热和足够的气流。通风和空调 （HVAC） 设备、
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